硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析

• 作者: 康仁科 李秀娟 苏建修 郭东明 金洙吉
• 来源期刊: 中国机械工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 运动形式 硅片内非均匀性 磨粒轨迹
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 科学基金
• 页码范围: 815-818
• 页数: 4页
• 分类号: TG175|TN305.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.09.016

摘要

分析了目前几种常见的化学机械抛光机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性.从硅片表面材料去除非均匀性方面,对几种抛光机的运动形式进行了比较,结果表明,抛光头摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小.该研究为化学机械抛光机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
3	金洙吉	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	105	1334	18.0	32.0
4	苏建修	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	43	283	9.0	15.0
8	李秀娟	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	12	204	8.0	12.0