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退火对ZnO:Al薄膜光致发光性能的影响
退火对ZnO:Al薄膜光致发光性能的影响
作者:
徐自强
李燕
祖小涛
薛书文
谢娟
邓宏
陈航
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
溶胶-凝胶法
ZnO:Al薄膜
退火处理
光致发光
红移
摘要:
采用溶胶-凝胶工艺在石英衬底上制备ZnO:Al(AZO)薄膜,通过不同温度的退火处理,研究了退火对AZO薄膜结构和光致发光特性的影响.XRD图谱表明:所制备的薄膜具有c轴高度择优取向,随着退火温度的升高,(002)峰的强度逐渐增强,同时(002)峰的半高宽逐渐减小,表明晶粒在不断增大.未退火样品的光致发光(PL)谱由361 nm附近的紫外带边发射峰和500 nm附近的深能级发射峰组成.样品经退火后,以500 nm为中心的绿带发射逐渐减弱,而带边发射强度有所增强,并且逐渐红移到366 nm附近,与吸收边移动的测试结果相吻合.对经过不同时间退火的样品分析表明,AZO薄膜的发光特性与退火时间也有很大关系,时间过短可见波段的发射较强,但时间过长会使晶粒发生团聚,导致紫外发射峰强度减弱.
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退火温度
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退火对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜性能的影响
退火
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文献信息
篇名
退火对ZnO:Al薄膜光致发光性能的影响
来源期刊
强激光与粒子束
学科
物理学
关键词
溶胶-凝胶法
ZnO:Al薄膜
退火处理
光致发光
红移
年,卷(期)
2006,(1)
所属期刊栏目
粒子束技术
研究方向
页码范围
169-172
页数
4页
分类号
O484.41
字数
2487字
语种
中文
DOI
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作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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G指数
1
祖小涛
电子科技大学物理电子学院
111
627
12.0
17.0
2
邓宏
电子科技大学微电子与固体电子学院
72
653
14.0
22.0
3
李燕
电子科技大学微电子与固体电子学院
29
259
9.0
15.0
4
谢娟
电子科技大学微电子与固体电子学院
10
90
5.0
9.0
5
徐自强
电子科技大学电子科学研究院
31
155
7.0
11.0
9
薛书文
电子科技大学物理电子学院
10
80
5.0
8.0
10
陈航
电子科技大学微电子与固体电子学院
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ZnO:Al薄膜
退火处理
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相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
主办单位:
中国工程物理研究院
中国核学会
四川核学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4322
CN:
51-1311/O4
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919-805信箱
邮发代号:
62-76
创刊时间:
1989
语种:
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
总被引数(次)
61664
相关基金
教育部科学技术研究项目
英文译名:
Key Project of Chinese Ministry of Education
官方网址:
http://www.dost.moe.edu.cn
项目类型:
教育部科学技术研究重点项目
学科类型:
期刊文献
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