硅栅干法刻蚀工艺中腔室表面附着物研究

• 作者: 刘明 张庆钊 朱效立 李兵 谢常青
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体 淀积物 干法刻蚀 EDS
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98+2|TN705
• 字数: 2140字
• 语种: 中文

摘要

用Cl2,HBr,O2和CF4为反应气体,对多晶硅栅进行了刻蚀试验,并借助X射线能谱仪器Energy Dispersive X-ray Spectrometry(EDS)进行试验样品的化学成分测定和数据分析.结果表明,淀积附着物主要是以硅元素为主体,溴、氯和氧次之的聚合物,在淀积的动态过程中,HBr起到了主要的作用,Cl2和O2在一定程度上也促进了淀积过程的进行,在工艺过程中氟元素起到了清除淀积物的作用.最后通过试验得到了反应腔室表面附着物淀积的机理性结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	李兵	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	79	708	16.0	24.0
3	谢常青	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	258	9.0	12.0
4	朱效立	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	19	86	6.0	8.0
5	张庆钊	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	5	13	2.0	3.0