氧分压对直流磁控溅射铟锡氧化物(ITO)导电薄膜结构和性能的影响

• 作者: 吴茵 廖红卫 陈建兵 陈曙光
• 来源期刊: 湖南有色金属
• 学科: 工学
• 关键词: 铟锡氧化物 薄膜 氧分压
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 40-42
• 页数: 3页
• 分类号: TF123.7
• 字数: 1810字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5540.2007.02.013

摘要

通过直流磁控溅射热等静压铟锡氧化物(ITO)靶材制备ITO导电薄膜,并且针对O2-Ar混合气氛中氧的分压对ITO膜的结构、表面形貌、透光率以及导电率的影响进行了研究.结果表明,在低氧分压的条件下溅射,膜的(400)面非常显著地择优取向平行于玻璃表面,而随着氧分压的升高却表现为膜的(222)面择优取向平行于玻璃表面.同时,随着氧分压的升高,膜的表面粗糙度变小,膜的结构变得更细腻.膜的可见光透过率在氧分压增大的情形下有少许增大,但是膜的导电率却略有下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建兵		8	26	4.0	5.0
2	吴茵		14	143	7.0	11.0
3	廖红卫		19	83	6.0	8.0
4	陈曙光		23	82	6.0	8.0