PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响

• 作者: 孙云 李禾 杜楠 王应民 程国安 蔡莉
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 物理学
• 关键词: Si(111) ZnO薄膜 等离子体增强化学气相沉积 X射线衍射仪 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 28-33
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2793字
• 语种: 中文

摘要

报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱.研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量.随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大.在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性.