基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响

• 作者: 王震东 蒋雅雅 赖珍荃 黄奇辉
• 来源期刊: 南昌大学学报（理科版）
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 TiN薄膜 基底温度
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 545-548
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 2584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-0464.2007.06.009

摘要

在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响.实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高到360℃时薄膜中开始出现立方相的TiN.TiNx薄膜致密均匀,粗糙度小.随着基底温度的升高薄膜的电阻率显著减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖珍荃	南昌大学理学院	20	139	7.0	10.0
2	蒋雅雅	南昌大学材料科学与工程学院	2	19	2.0	2.0
3	王震东	南昌大学理学院	11	46	3.0	6.0
4	黄奇辉	南昌大学理学院	2	15	1.0	2.0