利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究

• 作者: 刘希 吴培亨 康琳 昌路 赵少奇
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: 透射电子显微镜 薄膜 电子衍射图案 SIS结
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 231-233,241
• 页数: 4页
• 分类号: TM2
• 字数: 2308字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2007.03.012

摘要

对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)技术进行了分析研究,对这儿种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像.由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的晶格常数,并与我们以前采用X射线衍射技术分析的结果进行了比较,结果有很好的吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴培亨	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	93	237	8.0	12.0
2	昌路	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	4	2	1.0	1.0
3	康琳	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	57	212	8.0	12.0
4	刘希	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	5	38	2.0	5.0
5	赵少奇	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	5	49	3.0	5.0