退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响

• 作者: 林璇英 邱胜桦 陈城钊 陈洪财
• 来源期刊: 佳木斯大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅薄膜 氢等离子体加热 Raman谱 FT-IR谱 暗电导率 光学带隙
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 192-195
• 页数: 4页
• 分类号: O485.5
• 字数: 2153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-1402.2007.02.018

摘要

采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)等方法进行表征和分析.研究了退火的射频功率、衬底温度和退火时间对薄膜微结构和光电性能的影响.结果表明,薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素,而薄膜的结晶度是影响薄膜暗电导率的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
2	邱胜桦	韩山师范学院物理与电子工程系	13	50	4.0	6.0
3	陈城钊	韩山师范学院物理与电子工程系	23	86	5.0	8.0
4	陈洪财	韩山师范学院物理与电子工程系	24	43	4.0	4.0