热丝法制备多晶硅薄膜晶体取向及形态的研究

• 作者: 侯晓多 张贵锋 柴展 王赛
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热丝化学气相沉积 多晶硅薄膜 择优取向 晶体形态
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 76-79
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.01.017

摘要

采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),在很近的热丝与衬底距离(5 mm)下沉积多晶硅薄膜,研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的影响规律.结果表明:当热丝温度在1400 ℃～1800 ℃变化,衬底温度225 ℃～320 ℃时,沉积出多晶硅薄膜的择优取向随温度升高的变化规律是(111)→(220)→(111);在低的灯丝温度(≈1450 ℃)和低的衬底温度(≈235 ℃)条件下,获得了晶粒横向尺寸大于1 μm、垂直尺寸大于5 μm的均匀致密的多晶硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柴展	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室材料科学与工程学院	2	7	2.0	2.0
2	张贵锋	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室材料科学与工程学院	17	107	6.0	9.0
3	王赛	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室材料科学与工程学院	4	56	3.0	4.0
4	侯晓多	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室材料科学与工程学院	14	60	5.0	6.0