一维硅氧线的水热法制备及光致发光

• 作者: 唐元洪 李小祥 李甲林 林良武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 水热法 硅氧线 PL光谱 生长机理
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1083-1087
• 页数: 5页
• 分类号: TN252
• 字数: 2707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.016

摘要

以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100～200 nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪(EDS)定量分析了该一维材料的成分,表明该纳米线由硅和氧两种元素组成.荧光光谱法测试了硅氧线的发光光谱,表明在426和446nm处有较强的发光.通过不同条件下的对比实验得到制备该纳米线的最佳条件,同时根据实验结果提出了该方法制备硅氧线的生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐元洪	湖南大学材料科学与工程学院	67	498	13.0	19.0
2	林良武	湖南大学材料科学与工程学院	17	61	4.0	6.0
3	李小祥	湖南大学材料科学与工程学院	3	11	2.0	3.0
4	李甲林	湖南大学材料科学与工程学院	3	9	2.0	3.0