氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响

• 作者: 孔繁之 张利宁 李清山 潘志峰 袁一方
• 来源期刊: 光学仪器
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 晶体结构 导电性能 氧氩比
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 84-88
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2809字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5630.2007.01.018

摘要

探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响.利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁一方	上海理工大学光电学院	80	554	14.0	20.0
2	李清山	曲阜师范大学物理工程学院	57	249	9.0	12.0
3	孔繁之	济宁医学院物理教研室	33	135	8.0	9.0
4	潘志峰	上海理工大学光电学院	31	148	7.0	10.0
8	张利宁	济宁医学院物理教研室	6	30	4.0	5.0