氩氧分压比对ZnO薄膜的结构及电学性能的影响

• 作者: 彭强 李星活 王聪
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 氩氧分压比 氧化锌基薄膜晶体管 射频磁控溅射法 场效应迁移率 输出特性 转移特性
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 16-19,23
• 页数: 5页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.04.005

摘要

采用射频磁控溅射法制备了氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFTS),研究了氩氧分压比对ZnO薄膜生长以及ZnO-TFT电学特性的影响.结果表明:氩氧分压比为40/16和40/8时制得的ZnO-TFT样品,都存在氧过量现象,生长晶向都存在一定左偏移,有源层沟道都为n型,均工作在增强型模式下,饱和特性都较好,且都呈现出一个较大的负方向漏电流,但氩氧分压比为40/16时制备的ZnO薄膜结晶性更好,其所对应的ZnO-TFT具有更高的场效应迁移率和开关电流比,以及更低的亚阈值摆幅.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭强	汕尾职业技术学院电子信息系	5	131	4.0	5.0
5	王聪	汕尾职业技术学院电子信息系	31	194	7.0	12.0
9	李星活	汕尾职业技术学院电子信息系	12	13	2.0	3.0