氩氧比对RF磁控溅射制备ZnO薄膜的影响

• 作者: 朱仁江
• 来源期刊: 重庆科技学院学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 氩氧比 溅射率 氩氧比 ZnO薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 43-44,60
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2248字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1980.2008.03.015

摘要

探讨氩氧比对采用ZnO陶瓷靶材磁控溅射制备薄膜的影响.研究发现,不同氩氧比对薄膜的溅射率和电学性能影响较大,而对薄膜的晶体结构和透过率没有产生明显的影响.随着氧气含量的增加,薄膜溅射率下降,并从n型导电变为高阻状态.薄膜呈较强的c轴择优取向的多晶结构,在可见光区域内玻璃衬底上的ZnO薄膜具有优异的透射特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱仁江	重庆师范大学光学工程重点实验室	26	79	4.0	8.0