氩氧比对磁控溅射ZnO薄膜的压电响应与极化特性的影响

• 作者: 戴玮 李翠平 杨保和 王芳 苏林
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氩氧比 磁控溅射 ZnO薄膜 压电响应 极化取向
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 981-987
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 4062字
• 语种: 中文

摘要

保持总的工作气压不变,在不同氩氧比条件下,采用射频磁控溅射法在铝电极层上制备了ZnO薄膜.用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分析了ZnO薄膜的择优取向、表面形貌和压电响应,并通过垂直PFM(VPFM)和水平PFM(LPFM)相位图研究了ZnO晶粒的极化特性.结果表明,氩氧比对ZnO薄膜的晶体结构和压电特性有显著影响,其中在氩氧比1∶1的条件下制备的ZnO薄膜具有最大的VPFM振幅和最佳的极化取向一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨保和	天津大学精密仪器与光电子工程学院	32	177	8.0	11.0
3	王芳	天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室	9	135	5.0	9.0
4	苏林	天津大学精密仪器与光电子工程学院	4	10	2.0	3.0
10	李翠平	天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室	3	6	2.0	2.0
11	戴玮	天津大学精密仪器与光电子工程学院	2	4	1.0	2.0