氮氩流量比对磁控溅射TiN薄膜生长织构的影响

• 作者: 成靖文 田颖萍 范洪远
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮氩气压比 氮化钛薄膜 织构 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 19-21,25
• 分类号: TG174.444
• 字数: 3164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2012.03.006

摘要

采用直流反应磁控溅射法,通过控制氮氩流量比,在Si(111)衬底上沉积了TiN薄膜,并用织构系数来量化TiN薄膜的生长取向.对TiN薄膜的织构、物相组成、形貌进行表征,分析了溅射沉积过程中氮氩流量比对TiN薄膜生长织构的影响,同时还分析了不同织构薄膜的表面及截面形貌.结果表明:氮氩流量比低于1:30时,薄膜的织构由(200)转变为(111),同时还出现了TiN061相；(111)织构的薄膜表面均匀,致密性好,粗糙度小,以氮氩流量比为1:60时所得织构系数为1.63的(111)薄膜最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范洪远	四川大学制造科学与工程学院	78	463	10.0	17.0
2	成靖文	四川大学制造科学与工程学院	2	26	2.0	2.0
3	田颖萍	四川大学制造科学与工程学院	2	26	2.0	2.0