射频反应磁控溅射制备氮化铜薄膜

• 作者: 刘小良 张鹏华 徐慧 李燕峰 简献忠 肖剑荣
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铜薄膜 晶体结构 光学带隙 电阻率
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 368-372
• 页数: 5页
• 分类号: TG1
• 字数: 3358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2007.03.003

摘要

使用射频反应磁控溅射法,在不同的射频功率和气体流量比下制备了氮化铜薄膜,并用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构进行表征.研究结果表明:薄膜呈现择优生长规律,由低气体流量比的Cu3N(111)晶面转向高分压的(100)面;薄膜的光学带隙在1.44～1.69 eV之间,电阻率在60～5.6×105 Ω·m之间,二者都随气体流量比的增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐慧	中南大学物理科学与技术学院	100	517	10.0	17.0
2	李燕峰	中南大学物理科学与技术学院	22	198	6.0	13.0
3	刘小良	中南大学物理科学与技术学院	29	92	6.0	7.0
4	简献忠	上海理工大学电气工程学院	91	341	9.0	14.0
5	肖剑荣	中南大学物理科学与技术学院	23	103	6.0	8.0
9	张鹏华	中南大学材料科学与工程学院	5	19	3.0	4.0