掺氮对300 mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响

• 作者: 周旗钢 戴小林 肖清华 韩海建
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 300 mm 流动图形缺陷 氧化诱生层错环 掺氮
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 746-749
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.06.005

摘要

采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶, 研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为. 从两种晶体的相同位置取样, 并对样品进行Secco腐蚀、 1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验. 实验结果表明, 在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷(FPDs)的密度变小, 氧化诱生层错环(OSF-ring)向样片中心处移动, 同时宽度变大. 这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生, 同时可以缩小空位型缺陷区的范围, 而且V/I过渡区(OSF-ring)的范围变大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
2	韩海建		2	6	1.0	2.0
3	戴小林		6	49	3.0	6.0
4	肖清华		9	78	3.0	8.0