Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能

• 作者: 张凯 张鹰 程鹏 蒋书文 齐增亮
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 Cd掺杂BZCN薄膜 射频磁控溅射 介电性能 介电可调率
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 1662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.05.011

摘要

用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜.研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响.结果表明,沉积温度为600 ℃,退火温度为700 ℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8 %,tanδ小于0.004 2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	47	169	7.0	9.0
2	蒋书文	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	30	197	7.0	12.0
3	张凯	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	7	19	2.0	4.0
4	齐增亮	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	7	1.0	2.0
5	程鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	2	1.0	1.0