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摘要:
采用无电镀沉积技术在经过机械抛光的单晶硅衬底上沉积了铜纳米晶.利用X射线衍射数据,估算出所沉积铜纳米晶的平均粒径大约为40nm.对120s无电镀沉积样品的场发射测试表明,该样品的开启场强为~5.5V/μm,在场强达到9.26V/μm时的场发射电流密度可达到62.5μA/cm2.对相应的沉积过程和场发射机理进行了分析.结果表明,无电镀沉积技术有可能成为制备具有较好场发射性能的金属/硅冷阴极的一种可供选择的方法.
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文献信息
篇名 无电镀沉积于硅衬底上铜纳米晶的场发射性能
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 场发射 无电镀沉积 铜纳米晶
年,卷(期) 2007,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1142-1147
页数 6页 分类号 O462
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.036
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研究主题发展历程
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场发射
无电镀沉积
铜纳米晶
研究起点
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研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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