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摘要:
基于序进应力加速寿命实验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.该方法将序进应力加速实验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,快速确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.以样品3DG130为例,在160~310℃范围内进行了序进应力加速寿命实验,然后根据模型计算得到了器件的寿命、分布和失效率.结果与文献吻合很好,验证了方法的可行性.
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文献信息
篇名 基于序进应力加速实验评价失效率的新方法
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 寿命实验 失效率 寿命分布
年,卷(期) 2007,(z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 448-451
页数 4页 分类号 TN32
字数 2470字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.114
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李志国 北京工业大学电子信息与控制工程学院 57 418 12.0 18.0
2 郭春生 北京工业大学电子信息与控制工程学院 44 302 10.0 15.0
3 吕长志 北京工业大学电子信息与控制工程学院 60 471 12.0 18.0
4 马卫东 北京工业大学电子信息与控制工程学院 15 132 6.0 11.0
5 朱春节 北京工业大学电子信息与控制工程学院 4 13 2.0 3.0
6 李秀宇 北京工业大学电子信息与控制工程学院 5 8 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
寿命实验
失效率
寿命分布
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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