同质缓冲层厚度对磁控溅射法制备玻璃基AZO薄膜的结构与光电性能影响

• 作者: 周祥 王鹏 赵修建 赵青南
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 同质缓冲层 ZnO:Al薄膜 射频磁控溅射法 方块电阻 玻璃基片
• 年，卷（期）: 2007,（z3）
• 页码范围: 589-593
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.4
• 字数: 3910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185x.2007.z3.142

摘要

室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜.用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率.并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化.结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	赵青南	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	45	423	12.0	19.0
3	王鹏	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	24	130	7.0	10.0
4	周祥	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	5	22	2.0	4.0