靶基距对磁控溅射AZO薄膜性能的影响

• 作者: 马学军 齐东丽
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射法 AZO薄膜 靶基距 禁带宽度 透过率 光电性能
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN34
• 字数: 2781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.05.004

摘要

以氧化锌铝陶瓷靶(98％ZnO+2％Al2O3,质量分数)为靶材,利用直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了AZO(ZnO:Al)薄膜样品,研究了靶基距(40～70 mm)对所制备AZO薄膜微观结构及光电性能的影响.结果表明:不同靶基距下制备的薄膜均具有明显的c轴择优取向；随着靶基距的增加,所制AZO薄膜的结晶质量变好,结晶尺寸变大,电阻率降低,禁带宽度变小,且所有薄膜在可见光区的平均透过率均在80％以上.当靶基距为70 mm时所制AZO薄膜的性能最好,其电阻率为8×10-4Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率为82.3％,禁带宽度为3.42 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马学军	沈阳理工大学理学院	11	31	2.0	5.0
2	齐东丽	沈阳理工大学理学院	10	11	1.0	3.0