一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计

• 作者: 余国义 刘三清 孙丽娟 邹雪城
• 来源期刊: 计算机与数字工程
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 CMOS集成电路
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 工程实践
• 页码范围: 145-147
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1796字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9722.2007.07.050

摘要

设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路.基于SMICO.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV.不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB.在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	刘三清	华中科技大学电子科学与技术系	31	279	10.0	15.0
3	余国义	华中科技大学电子科学与技术系	20	135	6.0	10.0
4	孙丽娟	华中科技大学电子科学与技术系	1	1	1.0	1.0