一种新型高精度CMOS电压基准源

• 作者: 彭伟 谢海情 邓欢
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 基准电压源 PTAT电流 温度系数 CMOS
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 863-865
• 页数: 3页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 2157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.035

摘要

在分析MOS管电流电压的温度特性的基础上,基于对两个连接成二极管形式的对称NMOS管通以不同大小的PTAT电流,NMOS管的栅压将向不同方向变化这一原理,通过对这两个NMOS管的栅压进行相互补偿,设计了一种新型的CMOS基准电压源.电路采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,基于BSIM3V3模型,利用Cadence的Spectre工具对电路进行仿真.结果表明:当电源电压VDD=1.2 V时,其温度系数仅为28×10-6/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭伟	湖南大学物理与微电子科学学院	14	46	4.0	6.0
2	谢海情	湖南大学物理与微电子科学学院	20	113	6.0	9.0
3	邓欢	湖南大学计算机与通信学院	4	5	1.0	2.0