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摘要:
提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,缩短了设计周期.利用该方法完成了一套基于0.5μm CMOS工艺、带ESD保护电路的输入输出单元库设计,该单元库通过了5kV的人体模型ESD测试.
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文献信息
篇名 新型静电泄放保护电路设计方法
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 静电泄放 人体模型 MOSFET 输人输出单元库
年,卷(期) 2007,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1156-1160
页数 5页 分类号 TN402
字数 3057字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.031
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贾嵩 北京大学微电子研究院 19 79 5.0 8.0
2 吉利久 北京大学微电子研究院 47 298 11.0 15.0
3 鲁文高 北京大学微电子研究院 17 80 5.0 8.0
4 陈中建 北京大学微电子研究院 22 104 6.0 9.0
5 王源 北京大学微电子研究院 20 87 5.0 9.0
6 傅一玲 北京大学微电子研究院 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
静电泄放
人体模型
MOSFET
输人输出单元库
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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