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新型静电泄放保护电路设计方法
新型静电泄放保护电路设计方法
作者:
傅一玲
吉利久
王源
贾嵩
陈中建
鲁文高
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
静电泄放
人体模型
MOSFET
输人输出单元库
摘要:
提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,缩短了设计周期.利用该方法完成了一套基于0.5μm CMOS工艺、带ESD保护电路的输入输出单元库设计,该单元库通过了5kV的人体模型ESD测试.
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文献信息
篇名
新型静电泄放保护电路设计方法
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
静电泄放
人体模型
MOSFET
输人输出单元库
年,卷(期)
2007,(7)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1156-1160
页数
5页
分类号
TN402
字数
3057字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.031
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
贾嵩
北京大学微电子研究院
19
79
5.0
8.0
2
吉利久
北京大学微电子研究院
47
298
11.0
15.0
3
鲁文高
北京大学微电子研究院
17
80
5.0
8.0
4
陈中建
北京大学微电子研究院
22
104
6.0
9.0
5
王源
北京大学微电子研究院
20
87
5.0
9.0
6
傅一玲
北京大学微电子研究院
1
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参考文献(1)
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2007(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
静电泄放
人体模型
MOSFET
输人输出单元库
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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