p型ZnO薄膜的制备及特性

• 作者: 南貌 孔春阳 戴特力 朱仁江 王楠 秦国平 阮海波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 p型ZnO薄膜 退火 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 5974-5978
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.070

摘要

采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×1016cm-3和41.5 Ω·cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱仁江	重庆师范大学物理学与信息技术学院	26	79	4.0	8.0
2	孔春阳	重庆师范大学物理学与信息技术学院	28	226	7.0	14.0
3	戴特力	重庆师范大学物理学与信息技术学院	29	325	8.0	17.0
4	王楠	重庆师范大学物理学与信息技术学院	6	20	2.0	4.0
5	秦国平	重庆师范大学物理学与信息技术学院	8	40	3.0	6.0
6	南貌	重庆师范大学物理学与信息技术学院	4	34	2.0	4.0
7	阮海波	重庆师范大学物理学与信息技术学院	4	34	2.0	4.0