磁控溅射制备硅铝阻隔膜的研究

• 作者: 刘福平 孙运金 岳蕾 张跃飞 陈强 霍纯青
• 来源期刊: 包装工程
• 学科: 工学
• 关键词: 直流反应磁控溅射 SiO2-Al2O3薄膜 阻隔性
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 40-42
• 页数: 3页
• 分类号: TQ316.31
• 字数: 2156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3563.2007.08.013

摘要

采用磁控溅射技术以10%Si～90%Al合金为靶材,通入O2将Si氧化成SiO2,Al氧化成Al2O3,在普通PET薄膜表面制备具有高阻隔性无机阻隔薄膜层,以增加其阻隔性.传统的磁控溅射法制备SiO2膜工艺,大多采用射频溅射法,但其成本较高,效率较低,无法充分满足大面积工业化镀膜生产的需要.而采用10%Si～90%Al合金不仅可以实现直流溅射工艺,而且测量结果表明,薄膜的阻隔性得到大幅度提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈强	北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室	125	542	10.0	17.0
2	刘福平	北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室	75	370	10.0	16.0
3	张跃飞	北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室	41	237	9.0	13.0
4	岳蕾	北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室	7	31	4.0	5.0
5	孙运金	北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室	4	22	4.0	4.0
6	霍纯青	北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室	4	21	3.0	4.0