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摘要:
在不同的氮分压r(r=N2/[N2+Ar])和射频功率P下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了氮化铜薄膜样品.用台阶仪测得了薄膜的厚度,用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外.可见光谱仪对薄膜的表面形貌、结构及光学性质进行了表征分析.结果表明,薄膜的沉积速率随P和r的增加而增大.薄膜表面致密均匀,晶粒尺寸为30 nm左右.随着r的增加,薄膜颗粒增大,且薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长.薄膜的光学带隙Eg在1.47-1.82 eV之间,随r的增加而增大.
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文献信息
篇名 氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响
来源期刊 物理学报 学科 化学
关键词 氮化铜薄膜 反应射频磁控溅射 晶体结构 光学带隙
年,卷(期) 2007,(7) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 4169-4174
页数 6页 分类号 O6
字数 4334字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.088
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 肖剑荣 中南大学物理科学与技术学院 9 25 3.0 4.0
3 徐慧 中南大学物理科学与技术学院 100 517 10.0 17.0
4 李燕峰 中南大学物理科学与技术学院 22 198 6.0 13.0
7 李明君 中南大学物理科学与技术学院 6 47 4.0 6.0
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反应射频磁控溅射
晶体结构
光学带隙
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物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
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1933
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