溅射功率对氮化铜薄膜结构及其性能的影响

• 作者: 刘敏 崔增丽 张峰 郭继花 黄致新
• 来源期刊: 华中师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铜薄膜 溅射功率 结构 性能
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 54-57
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1674字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1190.2008.01.014

摘要

采用反应射频磁控溅射方法,在氮气和氧气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择优取向、平均品粒尺寸、电阻率、光学能隙的影响.XRD显示溅射功率对氮化铜薄膜的择优取向影响很大,在低功率时薄膜择优[111]方向,在较高功率时薄膜择优[100]方向.紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明:当溅射功率从80 W逐渐增加到120 W时,薄膜的光学能隙从1.85 eV减小到1.41 eV,电阻率从1.45×102 Ωcm增加到2.99×103 Ωcm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄致新	华中师范大学物理科学与技术学院	104	350	10.0	14.0
2	张峰	华中师范大学物理科学与技术学院	10	72	3.0	8.0
3	郭继花	华中师范大学物理科学与技术学院	7	15	2.0	3.0
4	崔增丽	华中师范大学物理科学与技术学院	5	5	1.0	2.0