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退火处理对Ti-WO3薄膜的结构和气敏特性的影响
退火处理对Ti-WO3薄膜的结构和气敏特性的影响
作者:
孙彩芹
张召涛
朱绍平
杨晓红
闫勇彦
马勇
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
直流磁控溅射
Ti-WO3薄膜
退火
气敏特性
摘要:
用X射线衍射和透射电镜表征了直流磁控溅射法制得的Ti-WO3薄膜的晶型、晶格常数、粒径等.研究了退火对Ti-WO3薄膜气敏性质和微结构的影响,找出了最佳退火温度和工作温度;并对机理进行了分析.结果表明:450℃退火的薄膜的气敏效应很好,最佳工作温度在150℃左右;
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文献信息
篇名
退火处理对Ti-WO3薄膜的结构和气敏特性的影响
来源期刊
传感器与微系统
学科
工学
关键词
直流磁控溅射
Ti-WO3薄膜
退火
气敏特性
年,卷(期)
2008,(8)
所属期刊栏目
研究与探讨
研究方向
页码范围
39-41
页数
3页
分类号
TP212
字数
2252字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-9787.2008.08.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
马勇
重庆师范大学物理与信息技术学院
52
378
11.0
17.0
2
杨晓红
重庆师范大学物理与信息技术学院
39
223
8.0
13.0
3
朱绍平
重庆师范大学物理与信息技术学院
4
15
3.0
3.0
4
张召涛
重庆师范大学物理与信息技术学院
4
17
3.0
4.0
5
闫勇彦
重庆师范大学物理与信息技术学院
6
32
4.0
5.0
6
孙彩芹
重庆师范大学物理与信息技术学院
4
21
3.0
4.0
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
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引证文献(2)
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引证文献(3)
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2016(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
2018(3)
引证文献(0)
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节点文献
直流磁控溅射
Ti-WO3薄膜
退火
气敏特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
传感器与微系统
主办单位:
中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-9787
CN:
23-1537/TN
开本:
大16开
出版地:
哈尔滨市南岗区一曼街29号
邮发代号:
14-203
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
9750
总下载数(次)
43
总被引数(次)
66438
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