基片温度对真空热蒸发的SnS薄膜性能的影响

• 作者: 程树英 贾宏杰
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: SnS薄膜 真空热蒸发 性能 基片温度
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2368字
• 语种: 中文

摘要

利用真空热蒸发法在玻璃基片上制备SnS薄膜,在50℃～200℃之间,研究了基片温度对SnS薄膜的结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,随着基片温度的升高,SnS薄膜的结晶度越好,薄膜变得更光滑,薄膜颗粒也增大了;薄膜的平均粗糙度从19.1 nm减小到3.92 nm,薄膜颗粒的平均粒径从108 nm增大到150 am.而且随着基片温度的升高,SnS薄膜的载流子浓度从7.118×1013 cm-3提高到2.169×1015 cm-3,而电阻率从641.8 Ω·cm降低到206.2 Ω·cm .但是基片温度对薄膜的物相结构和导电类型没有影响.在不同基片温度下,所制备的薄膜都是具有正交结构的多晶SnS,在(111)晶面上有很强的择优取向,其导电类型都为p型.