硫化温度对SnxSy薄膜光电性能的影响

• 作者: 彭少朋 程树英 赖松林
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: SnxSy薄膜 硫化温度 光学性能 电学性能
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3052字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.05.020

摘要

用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270 ℃的条件下硫化45 min.研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响.结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小; 但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型.当硫化温度为240 ℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800 nm,薄膜的直接能带间隙为1.46 eV,电阻率为25.54 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程树英	福州大学物理与信息工程学院	96	443	11.0	17.0
2	赖松林	福州大学物理与信息工程学院	29	76	5.0	7.0
3	彭少朋	福州大学物理与信息工程学院	2	0	0.0	0.0