硫化温度和时间对SnxSy薄膜结构和成分的影响

• 作者: 彭少朋 林建光 程树英
• 来源期刊: 集美大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SnxSy薄膜 硫化温度 硫化时间
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 数理科学与信息工程
• 页码范围: 62-66
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7405.2010.01.013

摘要

用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,在真空条件下,将其在150～300 ℃下硫化30~60 min.对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,结果表明:在不同温度和不同时间下硫化,所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异.当硫化温度为240 ℃、硫化时间为45 min时,所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜,其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好,具有(111)方向优先生长,薄膜粒径在200～800 nm,且晶格常数与标样的数值吻合很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程树英	福州大学物理与信息工程学院	96	443	11.0	17.0
2	林建光	福州大学物理与信息工程学院	6	24	2.0	4.0
3	彭少朋	福州大学物理与信息工程学院	2	0	0.0	0.0