衬底温度对SnS薄膜性能的影响

• 作者: 史伟民 夏义本 郭余英 魏光普
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 硫化亚锡薄膜 真空蒸发 衬底温度
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 666-669,647
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2541字
• 语种: 中文

摘要

采用真空蒸发法在玻璃衬底上沉积硫化亚锡(SnS)薄膜,并对不同衬底温度沉积的薄膜性能进行了探讨.对薄膜的结构、表面形貌、成份、电学特性和光学特性进行了表征.实验发现,最佳的衬底温度为150℃;制备的SnS薄膜为多晶的斜方晶系,晶粒大小约为0.5 μm,Sn和S元素的化学计量比接近1,导电类型为P型,暗电导率、光电导率分别为 0.01 Ω-1·cm-1 和 0.08Ω-1·cm-1,禁带宽度为1.402 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏义本	上海大学材料科学与工程学院	111	725	13.0	19.0
2	史伟民	上海大学材料科学与工程学院	56	313	10.0	14.0
3	郭余英	上海大学材料科学与工程学院	3	15	3.0	3.0
4	魏光普	上海大学材料科学与工程学院	14	115	5.0	10.0