硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究

• 作者: 方文卿 江风益 熊传兵 王立 莫春兰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 发光二极管 硅衬底 应力
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3176-3181
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.088

摘要

利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的lnGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上.研究结果表明,转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大.去除转移后LED薄膜中过渡层后,GaN层受到的张应力变大,而铟镓氮层受到的压应力基本不变.将转移后的薄膜做成垂直结构的LED芯片后,其光电性能明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学教育部	24	177	7.0	12.0
2	方文卿	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	23	200	8.0	13.0
4	王立	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	48	324	10.0	14.0
6	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
8	熊传兵	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	23	157	7.0	11.0