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Surface Blisters and Craters on 4H-SiC Induced by 30 keV He and 120 keV O-ions Implantation
Surface Blisters and Craters on 4H-SiC Induced by 30 keV He and 120 keV O-ions Implantation
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摘要：
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Ed=20 keV 2H(d,γ)4He反应截面测量
带电粒子核反应
γ射线探测
分支比
截面
高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展
半导体材料
高纯半绝缘
4H-SiC单晶
单晶生长
4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究
4H-SiC
刃型位错
第一性原理
4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型
4H-SiC
射频功率MESFET
I-V特性
解析模型
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | Surface Blisters and Craters on 4H-SiC Induced by 30 keV He and 120 keV O-ions Implantation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 扫描电子显微镜 离子注入 表面起泡 碳化硅 小时 O型 相互作用能 SiC | ||
| 年，卷（期） | 2008,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 60 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | TN16 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
扫描电子显微镜
离子注入
表面起泡
碳化硅
小时
O型
相互作用能
SiC
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期刊影响力
中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版
主办单位：
Atomic
Energy
Physics
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
兰州市城关区南昌路509号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
4411
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