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SiO2牺牲层刻蚀实验的研究与分析
SiO2牺牲层刻蚀实验的研究与分析
作者:
乔大勇
梁庆
苑伟政
虞益挺
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
微机电系统
牺牲层
刻蚀速率
摘要:
氢氟酸(HF)刻蚀SiO2牺牲层受多种因素影响,其中刻蚀液的温度、组分、浓度、被刻蚀结构的形式及结构内部的残余应力等是最主要的.样品设计了多种测试结构,深入研究这些因素对刻蚀速率及结果的影响,并进行了详细的讨论与分析.通过实验可观察到刻蚀过程中的反应限制阶段与扩散限制阶段,说明经长时间的刻蚀,HF的扩散效应将成为影响刻蚀速率的主导因素.对于实验过程中观察到的"凸"状的刻蚀前端和"晕纹"现象,分析认为结构中的应力梯度及材料间不同的亲水性质是产生这些现象的主要原因.
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内容分析
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文献信息
篇名
SiO2牺牲层刻蚀实验的研究与分析
来源期刊
压电与声光
学科
工学
关键词
微机电系统
牺牲层
刻蚀速率
年,卷(期)
2008,(3)
所属期刊栏目
实验技术与测试方法
研究方向
页码范围
372-375
页数
4页
分类号
TN40
字数
2527字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1004-2474.2008.03.037
五维指标
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节点文献
微机电系统
牺牲层
刻蚀速率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
压电与声光
主办单位:
四川压电与声光技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-2474
CN:
50-1091/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南岸区南坪花园路14号
邮发代号:
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
4833
总下载数(次)
4
总被引数(次)
27715
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