0.5μm OTP工艺开发与器件特性研究

• 作者: 李冰 马春霞
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: OTP ONO 编程速度 编程串扰 数据保持能力
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.07.009

摘要

文章对0.5μm一次编程存储器(OTP)存储单元的器件结构、工艺流程、存储单元器件特性及可靠性提高等方面进行了研究.在一定的编程条件下,编程0.1ms时器件的阈值电压能够大于6V,控制栅或漏极加电压10s时阈值电压退化量小于0.1V,因此器件的编程速度和编程串扰特性能够满足要求.通过改善浮栅和控制栅层间介质氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)的质量及采用存储单元覆盖氮化硅保护层等优化措施,存储单元的数据保持能力能够大于10年.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冰	东南大学集成电路学院	43	126	6.0	8.0
2	马春霞	东南大学集成电路学院	1	6	1.0	1.0