射频磁控共溅射高温NH3退火制备CuO/SiO2复合薄膜的微观结构

• 作者: 孙钦军 李玉国 石锋
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 12-13,18
• 页数: 3页
• 分类号: O484.8
• 字数: 2105字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜,然后在NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,形成XuO结构,对其微观结构进行分析.随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高.样品于900℃和1100℃退火后,形成有序散落的微米级颗粒,前者由粒状团簇组成,颗粒表面比较粗糙,后者由片融状小颗粒融合而成,颗粒表面比较光滑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石锋	山东师范大学物理与电子科学学院	31	83	5.0	6.0
2	李玉国	山东师范大学物理与电子科学学院	44	186	7.0	11.0
3	孙钦军	山东师范大学物理与电子科学学院	7	32	3.0	5.0