不同气氛保护下退火制备的CuO/SiO2复合薄膜微观结构分析

• 作者: 孙钦军 李玉国 石锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构 退火气氛
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2381-2384
• 页数: 4页
• 分类号: O484.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.018

摘要

采用射频磁控共溅射法在Si(111)衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜.然后在N2和NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出CuO结构,并对其微观结构进行分析.N2保护下退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu,O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.NH3气氛保护下退火,随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高.样品于900℃和1100℃退火后,形成有序散落的微米级颗粒,前者由粒状团簇组成,颗粒表面比较粗糙;后者由片融状小颗粒融合而成,颗粒表面比较光滑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石锋	山东师范大学物理与电子科学学院	31	83	5.0	6.0
2	李玉国	山东师范大学物理与电子科学学院	44	186	7.0	11.0
3	孙钦军	山东师范大学物理与电子科学学院	7	32	3.0	5.0