8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关

• 作者: 刘会东 吴茹菲 尹军舰 张海英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: X/Ku波段 单刀双掷 开关 GaAs pin二极管
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1864-1867
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.003

摘要

基于中国科学院微电子研究所的GaAs pin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关.在8～20GHz频段内,开关正向导通时的插人损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的同波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为32dB.开关的支路采用串联-并联-并联的结构,其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm.在1.3V的偏置电压下,正向导通的串联二极管工作电流为