基于电流信息的CMOS SRAM存储单元故障测试

• 作者: 崔江 王友仁 陈飞
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 数字电路测试 电源电流检测 存储器故障 故障诊断
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 计算与测试
• 页码范围: 100-103
• 页数: 4页
• 分类号: TP206
• 字数: 3554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2008.06.032

摘要

针对深亚微米技术,提出了差分静态电流技术和动态电流技术相结合的方法对CMOS SRAM存储单元进行故障诊断,针对该方法改进了0-1算法.改进的0-1算法与传统的March算法相比,明显降低了测试开销.以四单元存储器为诊断实例,针对桥接故障、开路故障与耦合故障,实现了100%故障诊断覆盖率.实验结果证明了新方法具有故障覆盖率高的特点,能够诊断传统逻辑测试法难以探测的部分故障.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王友仁	南京航空航天大学自动化学院	190	2254	25.0	36.0
2	崔江	南京航空航天大学自动化学院	71	878	15.0	27.0
3	陈飞	南京航空航天大学自动化学院	8	11	2.0	2.0