4英寸低位错锗单晶生长

• 作者: 冯德伸 李楠 杨海 苏小平 闵振东
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 4英寸锗单晶 温度梯度 缩颈 工艺参数 位错密度
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.007

摘要

采用直拉法生长 4 英寸<loo>低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏小平		15	133	7.0	11.0
2	李楠		4	47	4.0	4.0
3	冯德伸		8	53	4.0	7.0
4	杨海		9	77	5.0	8.0
5	闵振东		2	34	2.0	2.0