沉积温度对多晶硅吸杂薄膜的影响

• 作者: 刘斌 周旗钢 徐继平 籍小兵
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 沉积温度 多晶硅 吸杂 晶粒
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 728-730
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2008.06.011

摘要

研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察.实验结果表明,随着沉积温度的不断升高.多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低.吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
2	刘斌		5	6	2.0	2.0
3	籍小兵		1	0	0.0	0.0
4	徐继平		2	6	1.0	2.0