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InP 中的深能级杂质与缺陷(续)
InP 中的深能级杂质与缺陷(续)
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摘要：
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InP 中深能级缺陷的产生与抑制现象
磷化铟
退火
缺陷
深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响
InP
半绝缘
深能级
电学补偿
半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制
磷化铟
半绝缘
缺陷
PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷
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深能级
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
开本：
大16开
出版地：
石家庄市179信箱46分箱
邮发代号：
18-60
创刊时间：
1964
语种：
chi
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
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16974
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