MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究

• 作者: 冯志宏 冯震 刘波 刘英斌 尹甲运 袁凤坡
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 金属有机化学气相淀积 X射线衍射 原子力显微镜 透射光谱
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 639-642
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TN304.055
• 字数: 2100字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.11.004

摘要

报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料.通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料.AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为97",ω(102)面扫描曲线半高宽为870",Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为240";使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5μm×5μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度(Rms)为8.484 nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度为1.104nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收带边分别为205 nm和266 nm,且都非常陡峭.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波		11	33	4.0	5.0
2	尹甲运		13	32	4.0	5.0
3	冯震		4	18	2.0	4.0
4	袁凤坡		3	13	3.0	3.0
5	刘英斌		1	5	1.0	1.0
6	冯志宏		4	21	3.0	4.0