金属氧化物半导体场效应晶体管测量面罩对表面剂量的影响

• 作者: 倪园园 周菊英 涂彧 秦颂兵 詹蔚 郭建
• 来源期刊: 中华放射医学与防护杂志
• 学科: 医学
• 关键词: MOSFET 面罩 表面剂量
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 辐射剂量
• 页码范围: 289-290
• 页数: 2页
• 分类号: R81
• 字数: 1851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/cma.j.issn.0254-5098.2008.03.029

摘要

目的 使用金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor,MOSFET)探测器测量面罩对表面剂量的影响.方法 选用6 MV和15 MV X射线进行照射,分为有面罩组和无面罩组,用MOSFET分别测量,每组测5次,共测量5种不同密度的面罩.结果 使用面罩后表面剂量明显增加;不同面罩对表面剂量的影响程度不同.结论 使用面罩后射线的剂量建成区出现变化,表面剂量明显提高.临床治疗中需要适当关注皮肤表面的放射反应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	涂彧	苏州大学放射医学与公共卫生学院	140	571	11.0	14.0
2	周菊英	苏州大学附属第一医院放疗科	151	691	12.0	17.0
3	秦颂兵	苏州大学附属第一医院放疗科	66	292	8.0	12.0
4	郭建	苏州大学附属第一医院放疗科	22	73	5.0	8.0
5	詹蔚	苏州大学附属第一医院放疗科	8	11	2.0	3.0
6	倪园园	苏州大学放射医学与公共卫生学院	2	1	1.0	1.0