热退火对氧化镓薄膜性质的影响

• 作者: 向嵘 姜德龙 李野 王国政 王新 田景全 端木庆铎
• 来源期刊: 长春理工大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化镓薄膜 热退火 结构特性 光学特性
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9870.2008.04.014

摘要

采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响.在退火前,氧化镓薄膜是一种无定型的、高阻薄膜.经过退火后转变成多晶薄膜,但薄膜的电学特性变化较小.随着退火温度的升高,氧化镓薄膜逐渐形成了(401)择优取向,薄膜的光学带隙也随之变大,在750℃退火时得到了最大的光学带隙为4.79eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田景全	长春理工大学理学院	24	327	8.0	17.0
2	李野	长春理工大学理学院	68	297	9.0	13.0
3	姜德龙	长春理工大学理学院	25	153	6.0	10.0
4	端木庆铎	长春理工大学理学院	56	241	8.0	12.0
5	王国政	长春理工大学理学院	51	208	8.0	11.0
6	王新	长春理工大学理学院	42	87	5.0	6.0
7	向嵘	长春理工大学理学院	12	57	5.0	6.0