无机sol-gel法制备二氧化钒薄膜的研究

• 作者: 吴东 李智东 葛振华 赵昆渝 邹平
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 化学
• 关键词: 无机非金属材料 VO2薄膜 V2O5薄膜 无机sol-gel法
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TB34|O614.51
• 字数: 2520字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.11.014

摘要

采用无机sol-gel法,以分析纯V2O5为原料,在Si衬底、玻璃衬底上空气中加热制备了V2O5薄膜,在不同温度下真空退火,得到了具有择优取向的VO2薄膜.研究了其制备工艺和显微结构.结果表明:在玻璃衬底和硅衬底上薄膜的最佳真空退火工艺均为480 ℃/2 h.所制备的VO2薄膜具有沿<ll0>晶向生长的择优取向.薄膜表面形貌良好,颗粒尺寸分布均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李智东	昆明理工大学材料与冶金工程学院	29	219	9.0	14.0
2	赵昆渝	昆明理工大学材料与冶金工程学院	71	455	11.0	18.0
3	邹平	昆明理工大学材料与冶金工程学院	76	1009	14.0	30.0
4	吴东	昆明理工大学材料与冶金工程学院	7	45	4.0	6.0
5	葛振华	昆明理工大学材料与冶金工程学院	7	35	4.0	5.0