真空蒸镀ITO薄膜退火特性分析

• 作者: 桂太龙 梁丽超 王玥 许晶
• 来源期刊: 哈尔滨理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟锡氧化物 真空蒸发镀膜 方阻 透光率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 93-95
• 页数: 3页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2683.2008.01.027

摘要

采用真空蒸发镀膜工艺制备了ITO透明导电薄膜,以四探针表面电阻仪测量得薄膜方块电阻为400 Ω.用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率为80%,利用扫描电镜测得膜厚为103 nm.用XRD分析了薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌及粗糙度.对薄膜进行退火处理,结果表明,随着热处理温度的升高,晶化趋于完整,组织结构逐渐均匀致密,晶粒有所长大.随退火时间的增加,透光率增加,但方块电阻先减小后增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桂太龙	哈尔滨理工大学应用科学学院	18	86	5.0	8.0
2	王玥	哈尔滨理工大学应用科学学院	16	52	4.0	6.0
3	许晶	哈尔滨理工大学应用科学学院	7	39	4.0	6.0
4	梁丽超	哈尔滨理工大学应用科学学院	2	19	2.0	2.0